射頻電纜的衰減是哪些因素造成的
射頻電纜的衰減與導體,介質,結構尺寸,工藝水準和工作的頻率都有關
1 :在50MHz以下衰減常數偏大或超差,而高頻有余量,常常是鋁塑復合帶中的鋁基太薄所致,在頻率比較低的時候,鋁基的厚度小于或與該頻率的透射深度相當,造成了αR過大。根據理論計算,f=50MHz時的鋁層透射深度為12.2µm。一般采取12~15µm的鋁基可以解決這個問題。(當然,如果考慮到屏蔽衰減的要求可以再適當加厚)
2 :選擇PE在使用頻率內的tanδ較大,如達到x×10-3級別,則會造成絕緣結構的tanδ增大,從而使電纜的衰減增大。所以要注意2個問題,一是tanδ要小(如在400MHz時的tanδ為2~4×10-4,越小越好),一是工藝性能(如熔融指數為0.5~10)應適應與絕緣的擠出,不同的熔融指數有不同的溫度。
3 :外導體編織一般60%-80%為宜,偏大對降低衰減效果不是很明顯。
4 :絕緣生產用的模具設計和加工也是關鍵,應該保證產品達到較理想的均勻結構,使等效介點常數達到設計要求。
5 :物理發(fā)泡PE其衰減在低頻是合格,而高頻(如超過800MHz)時超差,大都與介質損耗角正切值和等效介點常數偏大有關系,或者與外導體編織密度過小,內導體外直徑偏小有關系。另外,衰減常數還取決與發(fā)泡度的大小。在阻抗和回波允許的范圍內適當提高發(fā)泡度(可以通過增加發(fā)泡度,提高阻抗,降低衰減。)對提高電纜的衰減常數有幫助,同時還可以降低成本。